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DMC25D1UVT-13相关型号

  • GBU610

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU

  • GBU602

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU

  • GBU606

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A GBU

  • GBU6005

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU

  • GBJ608-F

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBJ

  • GBU1002

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBU

  • GBU10005

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU

  • GBU1008

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU

Diodes热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • DMC25D1UVT-13

  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 批号：2516+
  • 描述：MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5620

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 和 P 沟道
  • FET 功能标准
  • 漏源电压（Vdss）25V，12V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）500mA，3.9A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）4 欧姆 @ 400mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）0.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）27.6pF @ 10V
  • 功率 - 最大值1.3W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商器件封装TSOT-26

其它信息

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